RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
84
Wokół strony -282% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
3.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
84
22
Prędkość odczytu, GB/s
5.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
3.6
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
3036
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link