RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
84
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
3.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
84
26
Prędkość odczytu, GB/s
5.0
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
3.6
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
1925
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link