RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2483
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link