RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3889
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link