RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3098
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link