RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3673
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link