RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3005
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link