RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
43
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2532
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link