RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2633
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link