RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
71
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1902
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link