RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
86
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
86
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1658
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link