RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3306
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link