RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3687
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link