RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3189
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link