RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3292
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link