RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3593
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link