RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3607
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link