RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3001
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link