RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3547
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link