RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
4122
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link