RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2600
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link