RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2124
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link