RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3007
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link