RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2609
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link