RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2708
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link