RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2148
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link