RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2191
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link