RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3650
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link