RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2927
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link