RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
71
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
1986
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link