RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3343
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link