RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2333
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link