RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Porównaj
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
99
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
99
45
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1386
3102
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link