RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Porównaj
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
25
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1913
3220
Kingston HP669238-071-HYC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
Kingston 9905584-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link