RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
74
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
74
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1913
1825
Kingston HP669238-071-HYC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
Kingston 9905584-037.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link