RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Kingston HP698651-154-MCN 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
26
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.4
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2003
3529
Kingston HP698651-154-MCN 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link