RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1116
3809
Kingston HX318C10FK/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link