RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
69
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1116
2690
Kingston HX318C10FK/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link