RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
86
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
86
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1116
1658
Kingston HX318C10FK/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link