RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
50
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2159
2336
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link