RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Porównaj
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Wynik ogólny
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
58
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
58
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2159
1968
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link