RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Porównaj
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wynik ogólny
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
84
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
84
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2148
1486
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link