RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Porównaj
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2148
3068
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link