RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Porównaj
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14200
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
21300
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2496
3055
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link