RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2595
2913
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link