RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Porównaj
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2595
3609
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link