RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
43
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2726
2501
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD3-1333 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link