RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3084
2374
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link