RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
64
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
64
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3084
2205
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link