RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Porównaj
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
5.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1411
3140
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link